据路透社2月24日报道，英特尔资深首席工程师Steve Carson在美国在加利福尼亚州圣何塞举行的一场会议上表示，英特尔已经安装的两台ASML High NA EUV光刻机正在其晶圆厂生产，早期数据表明它们的可靠性大约是上一代光刻机的两倍。

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Steve Carson指出，新的High NA EUV光刻机能以更少曝光次数完成与早期设备相同的工作，从而节省时间和成本。英特尔工厂的早期结果显示，High NA EUV 机器只需要一次曝光和“个位数”的处理步骤，即可完成早期机器需要三次曝光和约40个处理步骤的工作。目前英特尔已经利用High NA EUV光刻机在一个季度内生产了3万片晶圆。

资料显示，ASML的High NA EUV（EXE:5000）的分辨率为 8nm，可以实现比现有EUV光刻机小1.7倍物理特征的微缩，从将单次曝光的晶体管密度提高2.9倍，可以使芯片制造商能够简化其制造流程。晶圆生产速度达到了每小时400至500片晶圆，是当前标准EUV每小时200片晶圆的2-2.5倍的速度，即提升了100%至150%，将进一步提升产能，并降低成本。

英特尔此前就曾表示，High NA EUV光刻机将会首先会被用到其最新的Intel 18A制程的相关开发，预计基于Intel 18A制程的PC芯片将于今年下半年量产。此外，英特尔还计划在下一代的Intel 14A制程中全面导入High NA EUV设备来进行生产，但英特尔尚未LM Technologies代理商公布该制程的量产时间。(编辑：芯智讯-浪客剑)

（本新闻更新于2026/11/12）