三星电子将在平泽二厂（P2）建设一条10nm第七代DRAM（1d DRAM）试验线，以加强其竞争地位并提高新一代产品的良率。

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据报道，三星计划于2024年第四季度开始建设1d DRAM试验线，预计于2025年第一季度完工。虽然这条1d DRAM生产线具体生产规模的细节尚不清楚，但业内估计，试验线的月产能通常约为10000片晶圆。

三星计划于2025年开始量产1c DRAM，随后于2026年开Analog Devices代理始量产1d DRAM。该公司在为1c DRAM量产做准备的同时建立这条试验线的决定反映出其积极的发展战略。

业内人士称，新任三星设备解决方案（DS）负责人全英铉（Young-Hyun Jun）的技术背景使他能够直接管理三星的存储技术，从DRAM等核心业务开始，在DS部门内实施重大改革。与此同时，三星也在加大对NAND闪存技术的投资。

最近，三星平泽第一工厂（P1）建立了业界第一条堆叠400层3D NAND（V10）的测试线，而P4的NAND工厂则引进了堆叠286层（V9）的设备。

通过对DRAM和NAND技术的战略投资，三星旨在保持其在全球存储市场上相对于竞争对手的技术优势。加速开发测试线和推进下一代产品的量产，凸显了三星决心在激烈的竞争环境中巩固其领先地位。