台积电 A16 工艺 2026 量产!3nm 技术优化,功耗降低 40%
(2026年4月19日更新)
近日,台积电(TSMC)在其欧洲开放创新平台(OIP)论坛上宣布,准备在2025年末开始大规模量产N2工艺,同时A16(1.6nm级)工艺技术的首批芯片计划在2026年末开始投产。
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台积电表示,目前先进工艺的开发正在按路线图推进,预计未来几年基本保持不变。

据悉,A16将结合台积电的超级电轨(Super Power Rail)架构,也就是背部供电技术。可以在正面释放出更多的布局空间,提升逻辑密度和效能,适用于具有复杂讯号及密集供电网络的高性能计算(HPC)产品。相比于N2P工艺,A16在相同工作电压下速度快了8-10%,或者在相同速度下,功耗降低了15-20%,同时密度提升至原来的1.1倍。
台积电设计基础设施管理主管表示,A16基本可以理解为N2P加入背部供电技术的产物,可实现更高的性能和更好的电源效率。但是这种做法也增加了热问题,必须要解决,所以并非所有类型或者用途的芯片都适合这种设计,现阶段最合适的还是HPC芯片。
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