W66BM6NBUAFJ - Winbond
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图片信息
W66BM6NBUAFJ
制造厂家:
Winbond(华邦电子)
类别封装:
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:200-WFBGA(10x14.5)
技术参数:
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
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W66BM6NBUAFJ 技术参数详情:
型号:W66BM6NBUAFJ
品牌:Winbond Electronics (Winbond,华邦电子)
封装:200-WFBGA(10x14.5)
类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
描述:IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
系列:-
包装:托盘
产品状态:不适用于新设计
南皇电子 可编程:未验证
存储器类型:易失
存储器格式:DRAM
技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X
存储容量:2Gb
存储器组织:128M x 16
存储器接口:LVSTL_11
时钟频率:1.6 GHz
写周期时间 - 字,页:18ns
访问时间:3.5 ns
电压 - 供电:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V
工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:200-WFBGA
供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
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W66BM6NBUAFJ
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