W29N01HVBINF TR - Winbond
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图片信息
W29N01HVBINF TR
制造厂家:
Winbond(华邦电子)
类别封装:
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:63-VFBGA(9x11)
技术参数:
IC FLASH 1GBIT 63-VFBGA
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W29N01HVBINF TR 技术参数详情:
型号:W29N01HVBINF TR
品牌:Winbond Electronics (Winbond,华邦电子)
封装:63-VFBGA(9x11)
类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
描述:IC FLASH 1GBIT 63-VFBGA
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
南皇电子 可编程:未验证
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:FLASH - NAND(SLC)
存储容量:1Gb
存储器组织:128M x 8
存储器接口:-
时钟频率:-
写周期时间 - 字,页:25ns
访问时间:20 ns
电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:63-VFBGA
供应商器件封装:63-VFBGA(9x11)
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W29N01HVBINF TR
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陶瓷电容器(电容器)
BU-1C05
继电器 > 高频(RF)继电器
62.82.8.024.0000
继电器 > 功率继电器,高于 2 A
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