W947D2HBJX6E - Winbond
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图片信息
W947D2HBJX6E
制造厂家:
Winbond(华邦电子)
类别封装:
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:90-VFBGA(8x13)
技术参数:
IC DRAM 128MBIT LVCMOS 90VFBGA
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W947D2HBJX6E 技术参数详情:
型号:W947D2HBJX6E
品牌:Winbond Electronics (Winbond,华邦电子)
封装:90-VFBGA(8x13)
类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
描述:IC DRAM 128MBIT LVCMOS 90VFBGA
系列:-
包装:托盘
产品状态:停产
南皇电子 可编程:未验证
存储器类型:易失
存储器格式:DRAM
技术:SDRAM - 移动 LPDDR
存储容量:128Mb
存储器组织:4M x 32
存储器接口:LVCMOS
时钟频率:166 MHz
写周期时间 - 字,页:15ns
访问时间:5 ns
电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
工作温度:-25°C ~ 85°C(TC)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:90-TFBGA
供应商器件封装:90-VFBGA(8x13)
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W947D2HBJX6E
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