W66BQ6NBHAFJ - Winbond
Winbond代理商
全球现货渠道
强大的现货交付能力,轻松满足您的射频微波器件采购需求
首页
产品中心
典型品牌
热门器件
行业新闻
关于我们
联系我们
热门关注品牌:
metraTec
SolidRun
FEIG
INPAQ
Mstar
Doodle Labs
图片信息
W66BQ6NBHAFJ
制造厂家:
Winbond(华邦电子)
类别封装:
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:100-VFBGA(10x7.5)
技术参数:
IC DRAM 2GBIT LVSTL 06 100VFBGA
需要W66BQ6NBHAFJ的报价? 那就马上联系我们吧!
最快当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格,射频微波器件一站式采购
W66BQ6NBHAFJ 技术参数详情:
型号:W66BQ6NBHAFJ
品牌:Winbond Electronics (Winbond,华邦电子)
封装:100-VFBGA(10x7.5)
类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
描述:IC DRAM 2GBIT LVSTL 06 100VFBGA
系列:-
包装:托盘
产品状态:停产
南皇电子 可编程:-
存储器类型:易失
存储器格式:DRAM
技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X
存储容量:2Gb
存储器组织:128M x 16
存储器接口:LVSTL_06
时钟频率:1.6 GHz
写周期时间 - 字,页:18ns
访问时间:3.6 ns
电压 - 供电:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V
工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:100-VFBGA
供应商器件封装:100-VFBGA(10x7.5)
快速提供
W66BQ6NBHAFJ
专业且全面的报价,
Winbond代理
货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
更多Winbond产品:
W25Q16DVTCIG
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
W25Q128JWEIQ TR
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
W632GU8QB15I TR
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
W25X32VSFIG
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
W971GG8SB-25
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
W97BH6MBVA2E TR
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
W29N01HVBINF TR
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
W25N01GVSFIG
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
W25N01KWZPIT TR
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
W631GG6NB11I TR
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
SM5S22A-Q1
电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
EK4141-02
开发板,套件,编程器 > 评估板 > 射频评估和开发套件,板
400ST120
传感器,变送器 > 超声波接收器、发射器
RLFH102W473M3QN001B
陶瓷电容器(电容器)
MXC6244AU
传感器,变送器 > 运动传感器 > 加速计
Winbond公司授权代理商
Sharp
Toshiba
Applied Kilovolts
GES
ITECH
W66BQ6NBHAFJ
(制造商:Winbond) - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台