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Winbond产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
W97BH6MBVA2E TR 图片
  • 制造厂家:Winbond(华邦电子)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:134-VFBGA(10x11.5)
  • 技术参数:IC DRAM 2GBIT HSUL 12 134VFBGA
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W97BH6MBVA2E TR 技术参数详情:
  • 型号:W97BH6MBVA2E TR
  • 品牌:Winbond Electronics (Winbond,华邦电子)
  • 封装:134-VFBGA(10x11.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 2GBIT HSUL 12 134VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:不适用于新设计
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B
  • 存储容量:2Gb
  • 存储器组织:128M x 16
  • 存储器接口:HSUL_12
  • 时钟频率:400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-25°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:134-VFBGA
  • 供应商器件封装:134-VFBGA(10x11.5)
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