W63AH6NBVADE TR - Winbond
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图片信息
W63AH6NBVADE TR
制造厂家:
Winbond(华邦电子)
类别封装:
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:178-VFBGA(11x11.5)
技术参数:
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
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W63AH6NBVADE TR 技术参数详情:
型号:W63AH6NBVADE TR
品牌:Winbond Electronics (Winbond,华邦电子)
封装:178-VFBGA(11x11.5)
类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
描述:IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
南皇电子 可编程:未验证
存储器类型:易失
存储器格式:DRAM
技术:SDRAM - Mobile LPDDR3
存储容量:1Gb
存储器组织:64M x 16
存储器接口:HSUL_12
时钟频率:1.066 GHz
写周期时间 - 字,页:15ns
访问时间:5.5 ns
电压 - 供电:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V
工作温度:-25°C ~ 85°C(TC)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:178-VFBGA
供应商器件封装:178-VFBGA(11x11.5)
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W63AH6NBVADE TR
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