射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
TP65H070LDG - Transphorm
Transphorm代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
Transphorm产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
TP65H070LDG 图片
TP65H070LDG
  • 制造厂家：Transphorm
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：3-PQFN（8x8）
  • 技术参数：GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
  • 需要TP65H070LDG的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
TP65H070LDG 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：TP65H070LDG
  • 制造商：Transphorm
  • 描述：GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：TP65H070L
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
  • 漏源电压（Vdss）：650V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：25A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：85 毫欧 @ 16A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 700A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：9.3nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：600pF @ 400V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：96W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：3-PQFN（8x8）
  • 快速提供TP65H070LDG专业且全面的报价，Transphorm代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
Transphorm品牌LOGO
更多Transphorm产品：
Transphorm公司授权代理商
Arlitech
Option NV
Ablic
Pericom
Powerbox
TP65H070LDG（制造商：Transphorm） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台