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Transphorm产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
TPH3207WS 图片
  • 制造厂家:Transphorm
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-247-3
  • 技术参数:GANFET N-CH 650V 50A TO247-3
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TPH3207WS 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:TPH3207WS
  • 制造商:Transphorm
  • 描述:GANFET N-CH 650V 50A TO247-3
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:GaNFET(氮化镓)
  • 漏源电压(Vdss):650V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):50A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):41 毫欧 @ 32A,8V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.65V @ 700A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):42nC @ 8V
  • Vgs(最大值):±18V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2197pF @ 400V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):178W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-247-3
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