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TPH3206LDGB - Transphorm
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图片信息
TPH3206LDGB 图片
TPH3206LDGB
  • 制造厂家：Transphorm
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PQFN（8x8）
  • 技术参数：GANFET N-CH 650V 16A PQFN
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TPH3206LDGB 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：TPH3206LDGB
  • 制造商：Transphorm
  • 描述：GANFET N-CH 650V 16A PQFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：GaNFET（氮化镓）
  • 漏源电压（Vdss）：650V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：16A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：180 毫欧 @ 11A，8V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 500A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：9.3nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±18V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：760pF @ 480V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：81W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：PQFN（8x8）
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