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GT8G133(TE12L,Q) - Toshiba
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图片信息
GT8G133(TE12L,Q) 图片
GT8G133(TE12L,Q)
  • 制造厂家：东芝半导体（铠侠Kioxia）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:8-TSSOP
  • 技术参数：IGBT 400V 600MW 8TSSOP
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GT8G133(TE12L,Q) 技术参数详情：
  • 型号:GT8G133(TE12L,Q)
  • 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
  • 封装:8-TSSOP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 400V 600MW 8TSSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:400 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:-
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.9V @ 4V，150A
  • 功率 - 最大值:600 mW
  • 开关能量:-
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:-
  • 25°C 时 Td（开/关）值:1.7s/2s
  • 测试条件:-
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
  • 供应商器件封装:8-TSSOP
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