2SJ380(F) - Toshiba
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图片信息
2SJ380(F)
制造厂家:
东芝半导体(铠侠Kioxia)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220NIS
技术参数:
MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS
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2SJ380(F) 技术参数详情:
型号:2SJ380(F)
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体,现已更名为Kioxia铠侠)
封装:TO-220NIS
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS
系列:-
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):210 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):48 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1100 pF @ 10 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):35W(Tc)
工作温度:150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220NIS
封装/外壳:TO-220-3 整包
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