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GCMS008C120S1-E1 - SemiQ
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图片信息
GCMS008C120S1-E1 图片
GCMS008C120S1-E1
  • 制造厂家：SemiQ
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:SOT-227
  • 技术参数：GEN3 1200V 8M SIC MOSFET & SBD
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GCMS008C120S1-E1 技术参数详情：
  • 型号:GCMS008C120S1-E1
  • 品牌:SemiQ (SemiQ)
  • 封装:SOT-227
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:GEN3 1200V 8M SIC MOSFET & SBD
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）:1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):189A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 100A，18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 40mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:506 nC @ 18 V
  • Vgs（最大值）:+22V，-8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:14085 pF @ 1000 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:536W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 供应商器件封装:SOT-227
  • 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC
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