射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
GCMX034C120S1-E1 - SemiQ
SemiQ代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
SemiQ产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
GCMX034C120S1-E1 图片
GCMX034C120S1-E1
  • 制造厂家：SemiQ
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:SOT-227
  • 技术参数：GEN3 1200V 34M SIC MOSFET MODULE
  • 需要GCMX034C120S1-E1的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
GCMX034C120S1-E1 技术参数详情：
  • 型号:GCMX034C120S1-E1
  • 品牌:SemiQ (SemiQ)
  • 封装:SOT-227
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:GEN3 1200V 34M SIC MOSFET MODULE
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）:1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):51A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:41 毫欧 @ 20A，18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 10mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:115 nC @ 18 V
  • Vgs（最大值）:+22V，-8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2630 pF @ 1000 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:183W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 供应商器件封装:SOT-227
  • 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC
  • 快速提供GCMX034C120S1-E1专业且全面的报价，SemiQ代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
SemiQ品牌LOGO
更多SemiQ产品：
SemiQ公司授权代理商
Phihong
Sharp
Onion
DIT
CODIXX
GCMX034C120S1-E1（制造商：SemiQ） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台