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VDZT2R9.1B - ROHM
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图片信息
VDZT2R9.1B 图片
VDZT2R9.1B
  • 制造厂家：ROHM（罗姆）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管，封装:VMD2
  • 技术参数：DIODE ZENER 9.1V 100MW VMD2
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VDZT2R9.1B 技术参数详情：
  • 型号:VDZT2R9.1B
  • 品牌:Rohm Semiconductor (Rohm,罗姆半导体)
  • 封装:VMD2
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 9.1V 100MW VMD2
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):9.1 V
  • 容差:±2%
  • 功率 - 最大值:100 mW
  • 阻抗（最大值）(Zzt):30 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 6 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOD-723
  • 供应商器件封装:VMD2
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