RTL030P02TR - ROHM
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图片信息
RTL030P02TR
制造厂家:
ROHM(罗姆)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TUMT6
技术参数:
MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6
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RTL030P02TR 技术参数详情:
型号:RTL030P02TR
品牌:Rohm Semiconductor (Rohm,罗姆半导体)
封装:TUMT6
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:不适用于新设计
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):70 毫欧 @ 3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):8 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):760 pF @ 10 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):1W(Ta)
工作温度:150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TUMT6
封装/外壳:6-SMD,扁平引线
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