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EMF8T2R - ROHM
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图片信息
EMF8T2R 图片
EMF8T2R
  • 制造厂家：ROHM（罗姆）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列，预偏置，封装:EMT6
  • 技术参数：TRANS PREBIAS 1NPN 1NPN EMT6
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EMF8T2R 技术参数详情：
  • 型号:EMF8T2R
  • 品牌:Rohm Semiconductor (Rohm,罗姆半导体)
  • 封装:EMT6
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列，预偏置
  • 描述:TRANS PREBIAS 1NPN 1NPN EMT6
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:不适用于新设计
  • 晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA，500mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，12V
  • 电阻器 - 基极 (R1):47 千欧
  • 电阻器 - 发射极 (R2):47 千欧
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:68 @ 5mA，5V / 270 @ 10mA，2V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 500A，10mA / 250mV @ 10mA，200mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA
  • 频率 - 跃迁:250MHz，320MHz
  • 功率 - 最大值:150mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
  • 供应商器件封装:EMT6
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