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RQ3G120BKFRATCB - ROHM
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图片信息
RQ3G120BKFRATCB 图片
RQ3G120BKFRATCB
  • 制造厂家：ROHM（罗姆）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:8-HSMT（3.2x3）
  • 技术参数：NCH 40V 12A, HSMT8AG, POWER MOSF
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RQ3G120BKFRATCB 技术参数详情：
  • 型号:RQ3G120BKFRATCB
  • 品牌:Rohm Semiconductor (Rohm,罗姆半导体)
  • 封装:8-HSMT（3.2x3）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:NCH 40V 12A, HSMT8AG, POWER MOSF
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17.4mOhm @ 12A, 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 432A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.5 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:470 pF @ 20 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
  • 工作温度:150°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-HSMT（3.2x3）
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
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