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MA2C85900E - Panasonic
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图片信息
MA2C85900E 图片
MA2C85900E
  • 制造厂家：Panasonic（松下半导体，新唐科技Nuvoton）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 二极管 > 射频，封装:DO34-A1
  • 技术参数：RF DIODE STANDARD 35V DO34-A1
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MA2C85900E 技术参数详情：
  • 型号:MA2C85900E
  • 品牌:Panasonic - ATG (Panasonic,松下半导体)
  • 封装:DO34-A1
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE STANDARD 35V DO34-A1
  • 系列:-
  • 包装:带盒（TB）
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:标准 - 单
  • 电压 - 峰值反向（最大值）:35V
  • 电流 - 最大值:100 mA
  • 不同Vr、F 时电容:1.2pF @ 6V，1MHz
  • 不同If、F 时电阻:980 毫欧 @ 2mA，100MHz
  • 功率耗散（最大值）:-
  • 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:DO-204AG，DO-34，轴向
  • 供应商器件封装:DO34-A1
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