据韩媒报道，近日，三星电子在其内存业务部已完成TAI-TECH代理HBM4内存逻辑芯片的设计，且Foundry已根据该设计正式启动了4nm制程的试生产。待完成逻辑芯片的最终性能验证后，三星电子将向客户提供其开发的 HBM4 内存样品。

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此前消息称，除采用自家4nm工艺制造逻辑芯片外，三星电子还将在HBM4上导入1c nm制程DRAM Die，以提升产品能效表现，也方便在逻辑芯片中引入更丰富功能支持。