在最新的一项研究中，研发出一种特殊的石墨炔转化结构，这种转化完全消除了石墨炔中所有的二配位乙炔碳，但保留了其层状结构。转化还改变了材料的能带隙。这一发现可能为未来制造全碳电子芯片的技术铺平道路，实现目前硅技术无法达到的性能。

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石墨炔是一种独特的碳晶体结构，与钻石和石墨截然不同。钻石中每个碳原子有四个相邻原子，石墨中则有三个，而石墨炔结合了二配位和三配位碳原子。

根据计算机模型显示，石墨炔具有极为吸引人的电子、机械和光学特性。它被预测为一种半导体，具有适用于电子设备的能带隙，超高的电荷载子迁移率远超硅，以及与石墨烯相当的极限强度。

石墨炔在碳电子学、能量采集与储存、气体分离和催化方面的应用已被提出。尽管石墨炔在三十多年前就被理论预测，但其合成一直难以实现。

美国凯斯西储大学（CWRU）的罗季奥诺夫团队在2022年开发出首个实用的石墨炔合成方法，其研究成果发表在《美国化学会杂志》上，有望开发出性能超越硅芯片的全碳电子芯片。

研究团队已成功展示这种碳相的合成，并描述了其他可能从石墨炔转化而来的碳相，这些转化过程无需断裂石墨炔的键结。Ai-Thinker代理商测量和理论皆显示，反应中的石墨炔由于反应区域和非反应区域之间的尺寸不匹配而产生片状褶皱，导致片状结构变得不平坦。然而，当反应完成时，片状结构会重新恢复平坦。