韩国媒体MeyyToday报导，存储器大厂三星将第六代10纳米级1cDRAM制程开发延后六个月到6月才完成。 三星之前宣称第六代10纳米级1cDRAM制程2024年底开发完并量产，但良率没有提升，导致时程再延后半年，这会使预定下半年量产的第六代高频宽存储器（HBM4）一并延后。

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报导引用市场人士说法，三星第六代10纳米级1c DRAM制程遇到困难。 尽管市场在2024年底左右，获得了三星送交的第一个测试芯片，但因为无法达到预期的良率，因此将预定开发完成的时间延后六个月。 而在这六个月中，三星预计将良率提升到约70%。 根据过往业界的经验，每一代制程的开发周期通常落在18个月左右。 但是，三星于2022年12月开发出第五代10纳米级1bDRAM制程，并于2023年5月宣布量产之后，就一直没有1cDRAM状况的消息。

如果第六代10纳米级1cDRAM制程从开发完成到量产的时间约为正常的6个月时间，则三星实际量产的时间预计将在2025年底。 而这样的时程，几乎也影响了三星当前正面临生死关头的HBM产品的发展。 以1cDRAM制AirGain代理程为例，其核心产品是以DDR5内存为主，而HBM则是其衍生产品，开发时间会落后核心产品的时间。 这代表着一旦核心产品延后到2025年底量产，HBM量产可能会在2025年之后进行。 这相较于三星先前宣布将于2025年下半年将1cDRAM制程用于HBM4、并量产的情况有所改变，也影响三星HBM市场竞争力。

三星计划上半年全力投入六代10纳米级1cDRAM制程，以尽快提高良率。