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MS652S - Microsemi
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图片信息
MS652S 图片
MS652S
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：晶体管 - 双极（BJT）- 射频，封装：M123
  • 技术参数：RF TRANS NPN 16V 512MHZ M123
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MS652S 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：MS652S
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：RF TRANS NPN 16V 512MHZ M123
  • 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 射频
  • 零件状态：停产
  • 晶体管类型：NPN
  • 电压-集射极击穿（最大值）：16V
  • 频率-跃迁：450MHz ~ 512MHz
  • 噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
  • 增益：10dB
  • 功率-最大值：25W
  • 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）：10 @ 200mA，5V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：2A
  • 工作温度：200°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：M123
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