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IV1Q12160D7Z - Inventchip
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图片信息
IV1Q12160D7Z 图片
IV1Q12160D7Z
  • 制造厂家：Inventchip (瞻芯电子)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-263-7
  • 技术参数：SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO263
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IV1Q12160D7Z 技术参数详情：
  • 型号:IV1Q12160D7Z
  • 品牌:Inventchip公司 (瞻芯电子)
  • 封装:TO-263-7
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO263
  • 系列:-
  • 包装:
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）:1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:195 毫欧 @ 10A，20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1.9mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 20 V
  • Vgs（最大值）:+20V，-5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:885 pF @ 800 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:108W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-263-7
  • 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片）
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