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IXGT20N120BD1 - IXYS
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IXYS产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
IXGT20N120BD1 图片
IXGT20N120BD1
  • 制造厂家：IXYS（力特 Littelfuse，艾赛斯）
  • 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-268-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-268AA
  • 技术参数：IGBT 1200V 40A 190W TO268
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IXGT20N120BD1 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：IXGT20N120BD1
  • 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
  • 描述：IGBT 1200V 40A 190W TO268
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：40A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：100A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：3.4V @ 15V，20A
  • 功率-最大值：190W
  • 开关能量：2.1mJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：72nC
  • 25°C时Td（开/关）值：25ns/150ns
  • 测试条件：960V，20A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：40ns
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-268-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-268AA
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