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CGD65B130SH2 - CGD
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图片信息
CGD65B130SH2 图片
CGD65B130SH2
  • 制造厂家：CGD (Cambridge GaN Devices)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:8-DFN（5x6）
  • 技术参数：650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
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CGD65B130SH2 技术参数详情：
  • 型号:CGD65B130SH2
  • 品牌:CGD公司 (Cambridge GaN Devices)
  • 封装:8-DFN（5x6）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
  • 包装:剪切带（CT）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:GaNFET（氮化镓）
  • 漏源电压（Vdss）:650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:12V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:182 毫欧 @ 900mA，12V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.2V @ 4.2mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.9 nC @ 12 V
  • Vgs（最大值）:+20V，-1V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
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