射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
CGD65A055SH2 - CGD
CGD代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
CGD产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
CGD65A055SH2 图片
CGD65A055SH2
  • 制造厂家：CGD (Cambridge GaN Devices)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:16-DFN（8x8）
  • 技术参数：650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
  • 需要CGD65A055SH2的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
CGD65A055SH2 技术参数详情：
  • 型号:CGD65A055SH2
  • 品牌:CGD公司 (Cambridge GaN Devices)
  • 封装:16-DFN（8x8）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
  • 包装:剪切带（CT）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:GaNFET（氮化镓）
  • 漏源电压（Vdss）:650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:12V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:77 毫欧 @ 2.2A，12V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.2V @ 10mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4 nC @ 12 V
  • Vgs（最大值）:+20V，-1V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:16-DFN（8x8）
  • 封装/外壳:16-PowerVDFN
  • 快速提供CGD65A055SH2专业且全面的报价，CGD代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
CGD品牌LOGO
更多CGD产品：
CGD公司授权代理商
Xaptum
Bridgelux
Sivers
Himax
Oslo Switch
CGD65A055SH2（制造商：CGD） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台