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MSIE40N150-6 - Bruckewell
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图片信息
MSIE40N150-6 图片
MSIE40N150-6
  • 制造厂家：Bruckewell
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:-
  • 技术参数：N-MOSFET,40V,150A,DFN14X12
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MSIE40N150-6 技术参数详情：
  • 型号:MSIE40N150-6
  • 品牌:Bruckewell公司
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:N-MOSFET,40V,150A,DFN14X12
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:6 N 沟道（全桥）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:40V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):150A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
  • 功率 - 最大值:-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:-
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