NVMFS6B05NWFT3G - onsemi
onsemi代理商
全球现货渠道
强大的现货交付能力,轻松满足您的射频微波器件采购需求
首页
产品中心
典型品牌
热门器件
行业新闻
关于我们
联系我们
热门关注品牌:
Magnetics
Dow-Key
VINATech
Dresden
Brainchip
Energy Re-Connect
图片信息
NVMFS6B05NWFT3G
制造厂家:
onsemi (安森美)
类别封装:
晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
技术参数:
MOSFET N-CH 100V 104A 5DFN
需要NVMFS6B05NWFT3G的报价? 那就马上联系我们吧!
最快当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格,射频微波器件一站式采购
NVMFS6B05NWFT3G 技术参数详情:
制造商产品型号:NVMFS6B05NWFT3G
制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 100V 104A 5DFN
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100V
25°C时电流-连续漏极(Id):114A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):8 毫欧 @ 20A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):44nC @ 10V
Vgs(最大值):±16V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3100pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):3.8W(Ta),165W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
快速提供
NVMFS6B05NWFT3G
专业且全面的报价,
onsemi代理
货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
更多onsemi产品:
LM293D
集成电路(IC) > 线性 > 比较器
LV23010V-MPB-E
射频和无线 > RF 其它 IC 和模块
MC14001UBDR2
集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
NJT4030PT1G
分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
MM74HC165SJ
集成电路(IC) > 逻辑 > 移位寄存器
MC14021BD
集成电路(IC) > 逻辑 > 移位寄存器
NCL30488A3DR2G
集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > LED 驱动器
HCPL2531W
隔离器 > 光隔离器 > 晶体管,光电输出光隔离器
SNRVB140SFT3G
分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
NCV8177AMX120TCG-A642
集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - 线性
24452-BX
继电器 > 功率继电器,高于 2 A
AQ4021-01FTG-C
电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
Q6016NH4RP
分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
ROV14H331K-S
电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > 压敏电阻,MOV
520R52015DTR
晶体,振荡器,谐振器 > 振荡器
onsemi公司授权代理商
CTS
Artekit Labs
Free2Move
IXYS
Nicomatic
NVMFS6B05NWFT3G
(制造商:onsemi) - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台