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NVH4L050N170M1 - onsemi
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图片信息
NVH4L050N170M1 图片
NVH4L050N170M1
  • 制造厂家：onsemi (安森美)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-247-4L
  • 技术参数：SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
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NVH4L050N170M1 技术参数详情：
  • 型号:NVH4L050N170M1
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:TO-247-4L
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）:1700 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:76 毫欧 @ 35A，20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4，3V @ 10mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:105 nC @ 20 V
  • Vgs（最大值）:+25V，-15V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2063 pF @ 1000 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:333W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-247-4L
  • 封装/外壳:TO-247-4
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