NTBG045N065SC1 - onsemi
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图片信息
NTBG045N065SC1
制造厂家:
onsemi (安森美)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:D2PAK-7
技术参数:
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
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NTBG045N065SC1 技术参数详情:
型号:NTBG045N065SC1
品牌:onsemi (ON,安森美)
封装:D2PAK-7
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):62A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):50 毫欧 @ 25A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.3V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):105 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+22V,-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1890 pF @ 325 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):242W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:D2PAK-7
封装/外壳:TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
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