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图片信息
NRVBM110LT3G 图片
NRVBM110LT3G
  • 制造厂家：onsemi (安森美)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管，封装:Powermite
  • 技术参数：DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
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NRVBM110LT3G 技术参数详情：
  • 型号:NRVBM110LT3G
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:Powermite
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 技术:肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:10 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):1A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):415 mV @ 2 A
  • 速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 A @ 10 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:DO-216AA
  • 供应商器件封装:Powermite
  • 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C
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