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NCV51511PDR2G
  • 制造厂家：onsemi (安森美)
  • 类别封装：集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器，封装:8-SOIC-EP
  • 技术参数：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
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NCV51511PDR2G 技术参数详情：
  • 型号:NCV51511PDR2G
  • 品牌:onsemi (ON,安森美)
  • 封装:8-SOIC-EP
  • 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
  • 描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 驱动配置:高压侧，低压侧
  • 通道类型:同步
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
  • 电压 - 供电:8V ~ 16V
  • 逻辑电压- VIL，VIH:2V，1.8V
  • 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，6A
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V
  • 上升/下降时间（典型值）:6ns，4ns
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）焊盘
  • 供应商器件封装:8-SOIC-EP
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