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W987D2HBJX6E - Winbond
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图片信息
W987D2HBJX6E 图片
W987D2HBJX6E
  • 制造厂家：Winbond（华邦电子）
  • 类别封装：存储器，产品封装：90-TFBGA
  • 技术参数：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA
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W987D2HBJX6E 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：W987D2HBJX6E TR
  • 制造商：Winbond Electronics（华邦电子）
  • 描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA
  • 产品系列：存储器
  • 包装：卷带（TR）
  • 系列：-
  • 零件状态：不用於新
  • 存储器类型：易失
  • 存储器格式：DRAM
  • 技术：SDRAM - 移动 LPSDR
  • 存储容量：128Mb（4M x 32）
  • 存储器接口：并联
  • 时钟频率：166MHz
  • 写周期时间-字，页：15ns
  • 访问时间：5.4ns
  • 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度：-25°C ~ 85°C（TC）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 产品封装：90-TFBGA
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