W632GG8NB15I - Winbond
Winbond代理商
全球现货渠道
强大的现货交付能力,轻松满足您的射频微波器件采购需求
首页
产品中心
典型品牌
热门器件
行业新闻
关于我们
联系我们
热门关注品牌:
Energy Re-Connect
InterFET
Curtis
Toshiba
IXYS
Phihong
图片信息
W632GG8NB15I
制造厂家:
Winbond(华邦电子)
类别封装:
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:78-VFBGA(8x10.5)
技术参数:
IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
需要W632GG8NB15I的报价? 那就马上联系我们吧!
最快当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格,射频微波器件一站式采购
W632GG8NB15I 技术参数详情:
型号:W632GG8NB15I
品牌:Winbond Electronics (Winbond,华邦电子)
封装:78-VFBGA(8x10.5)
类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
描述:IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
系列:-
包装:托盘
产品状态:停产
南皇电子 可编程:未验证
存储器类型:易失
存储器格式:DRAM
技术:SDRAM - DDR3
存储容量:2Gb
存储器组织:256M x 8
存储器接口:并联
时钟频率:667 MHz
写周期时间 - 字,页:15ns
访问时间:20 ns
电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:78-VFBGA
供应商器件封装:78-VFBGA(8x10.5)
快速提供
W632GG8NB15I
专业且全面的报价,
Winbond代理
货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
更多Winbond产品:
W66AQ6NBHAGJ
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
W979H2KBVX2I
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
W25Q64CVSFIG
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
W29N01HVBINF TR
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
W25Q16DVTCIG
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
W631GU8NB09I
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
W632GU8QB15I TR
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
W632GG8KB-15
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
W25Q128FVSJQ
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
W25Q02JVSFIM TR
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
SP40S-1K
电位计,可变电阻器 > 旋转式电位计,变阻器
025-0602
RF 配件(射频和无线)
ASX00037-3P
开发板,套件,编程器 > 评估板 > 扩展板,子卡
T60006L2030W981
磁性元件 - 变压器,电感器元件 > 铁氧体磁芯
OS400-2005-018
晶体,振荡器,谐振器 > 振荡器
Winbond公司授权代理商
Pericom
fastSiC
Ironwood
Ulti-Mate
ept
W632GG8NB15I
(制造商:Winbond) - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台