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UnitedSiC产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
UJ3N120070K3S 图片
  • 制造厂家:UnitedSiC
  • 类别封装:晶体管 - JFET,封装:TO-247-3
  • 技术参数:1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
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UJ3N120070K3S 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:UJ3N120070K3S
  • 制造商:UnitedSiC
  • 描述:1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
  • 系列:晶体管 - JFET
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 电压-击穿(V(BR)GSS):1200V
  • 漏源电压(Vdss):1200V
  • 不同Vds(Vgs=0)时电流-漏极(Idss):-
  • 漏极电流(Id)-最大值:33.5A
  • 不同Id时电压-截止(VGSoff):-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):985pF @ 100V
  • 电阻-RDS(On):90 mOhms
  • 功率-最大值:254W
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-3
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