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UJ3N120035K3S - UnitedSiC
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UnitedSiC产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
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UJ3N120035K3S
  • 制造厂家：UnitedSiC
  • 类别封装：晶体管 - JFET，封装：TO-247-3
  • 技术参数：1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
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UJ3N120035K3S 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：UJ3N120035K3S
  • 制造商：UnitedSiC
  • 描述：1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
  • 系列：晶体管 - JFET
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 电压-击穿(V(BR)GSS)：1200V
  • 漏源电压（Vdss）：1200V
  • 不同Vds(Vgs=0)时电流-漏极(Idss)：-
  • 漏极电流(Id)-最大值：63A
  • 不同Id时电压-截止(VGSoff)：-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2145pF @ 100V
  • 电阻-RDS(On)：45 mOhms
  • 功率-最大值：429W
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-247-3
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