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TP65H300G4LSG - Transphorm
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图片信息
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TP65H300G4LSG
  • 制造厂家：Transphorm
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：3-PQFN（8x8）
  • 技术参数：GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
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TP65H300G4LSG 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：TP65H300G4LSG
  • 制造商：Transphorm
  • 描述：GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：GaNFET（氮化镓）
  • 漏源电压（Vdss）：650V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：6.5A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：8V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：312毫欧 @ 5A，8V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 500A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：9.6nC @ 8V
  • Vgs（最大值）：±18V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：760pF @ 400V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：21W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：3-PQFN（8x8）
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