TP65H150LSG - Transphorm
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图片信息
TP65H150LSG
制造厂家:
Transphorm
类别封装:
晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:3-PQFN(8x8)
技术参数:
GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN
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TP65H150LSG 技术参数详情:
制造商产品型号:TP65H150LSG
制造商:Transphorm
描述:GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss):650V
25°C时电流-连续漏极(Id):15A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):180 毫欧 @ 10A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):4.8V @ 500A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):7.1nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):576pF @ 400V
FET功能:-
功率耗散(最大值):69W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:3-PQFN(8x8)
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