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TRS8E65F,S1Q - Toshiba
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图片信息
TRS8E65F,S1Q 图片
TRS8E65F,S1Q
  • 制造厂家：东芝半导体（铠侠Kioxia）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管，封装:TO-220-2L
  • 技术参数：DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2L
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TRS8E65F,S1Q 技术参数详情：
  • 型号:TRS8E65F,S1Q
  • 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
  • 封装:TO-220-2L
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2L
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):8A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.6 V @ 8 A
  • 速度:零恢复时间 > 500mA（Io）
  • 反向恢复时间 (trr):0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40 A @ 650 V
  • 不同Vr、F 时电容:28pF @ 650V，1MHz
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-2
  • 供应商器件封装:TO-220-2L
  • 工作温度 - 结:175°C（最大）
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