TH58BVG2S3HBAI6 - Toshiba
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图片信息
TH58BVG2S3HBAI6
制造厂家:
东芝半导体(铠侠Kioxia)
类别封装:
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:67-VFBGA(6.5x8)
技术参数:
IC FLASH 4GBIT 67VFBGA
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TH58BVG2S3HBAI6 技术参数详情:
型号:TH58BVG2S3HBAI6
品牌:Kioxia America, Inc. (Kioxia,铠侠,原来的东芝半导体)
封装:67-VFBGA(6.5x8)
类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
描述:IC FLASH 4GBIT 67VFBGA
包装:托盘
产品状态:南皇电子 停止提供
南皇电子 可编程:未验证
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:FLASH - NAND(SLC)
存储容量:4Gb
存储器组织:512M x 8
存储器接口:-
时钟频率:-
写周期时间 - 字,页:-
访问时间:-
电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:67-VFBGA
供应商器件封装:67-VFBGA(6.5x8)
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TH58BVG2S3HBAI6
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