SSM3J112TU(TE85L) 技术参数详情：
- 东芝半导体公司完整型号：SSM3J112TU(TE85L)
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor，现已更名为Kioxia铠侠）
- 描述：MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.1A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：390 毫欧 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 100A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：86pF @ 15V
- 功率 - 最大值：500mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：3-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：UFM
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