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RN1109CT(TPL3) - Toshiba
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图片信息
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RN1109CT(TPL3)
  • 制造厂家：东芝半导体（铠侠Kioxia）
  • 类别封装：晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置，封装：SC-101，SOT-883
  • 技术参数：TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
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RN1109CT(TPL3) 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：RN1109CT(TPL3)
  • 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor，现已更名为Kioxia铠侠）
  • 描述：TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
  • 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
  • 零件状态：停产
  • 晶体管类型：NPN - 预偏压
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：50mA
  • 电压-集射极击穿（最大值）：20V
  • 电阻器-基极(R1)：47 kOhms
  • 电阻器-发射极(R2)：22 kOhms
  • 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）：100 @ 10mA，5V
  • 不同Ib、Ic时Vce饱和压降（最大值）：150mV @ 250A，5mA
  • 电流-集电极截止（最大值）：500nA
  • 频率-跃迁：-
  • 功率-最大值：50mW
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：SC-101，SOT-883
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