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GT20N135SRA,S1E - Toshiba
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图片信息
GT20N135SRA,S1E 图片
GT20N135SRA,S1E
  • 制造厂家：东芝半导体（铠侠Kioxia）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:TO-247
  • 技术参数：IGBT 1350V 40A TO-247
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GT20N135SRA,S1E 技术参数详情：
  • 型号:GT20N135SRA,S1E
  • 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
  • 封装:TO-247
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 1350V 40A TO-247
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:1350 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，40A
  • 功率 - 最大值:312 W
  • 开关能量:-，700J（关）
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:185 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值:-
  • 测试条件:300V，40A，39 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商器件封装:TO-247
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