CRZ39(TE85L,Q,M) - Toshiba
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图片信息
CRZ39(TE85L,Q,M)
制造厂家:
东芝半导体(铠侠Kioxia)
类别封装:
分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:S-FLAT(1.6x3.5)
技术参数:
DIODE ZENER 39V 700MW SFLAT
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CRZ39(TE85L,Q,M) 技术参数详情:
型号:CRZ39(TE85L,Q,M)
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体,现已更名为Kioxia铠侠)
封装:S-FLAT(1.6x3.5)
类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
描述:DIODE ZENER 39V 700MW SFLAT
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):39 V
容差:±10%
功率 - 最大值:700 mW
阻抗(最大值)(Zzt):35 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 A @ 31.2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOD-123F
供应商器件封装:S-FLAT(1.6x3.5)
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