TPS1101PWR - TI
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图片信息
TPS1101PWR
制造厂家:
TI(Texas Instruments,德州仪器)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:16-TSSOP
技术参数:
MOSFET P-CH 15V 2.18A 16TSSOP
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TPS1101PWR 技术参数详情:
型号:TPS1101PWR
品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
封装:16-TSSOP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET P-CH 15V 2.18A 16TSSOP
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):15 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.18A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.7V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):90 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):11.25 nC @ 10 V
Vgs(最大值):+2V,-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-
FET 功能:-
功率耗散(最大值):710mW(Ta)
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:16-TSSOP
封装/外壳:16-TSSOP(0.173
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