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CSD86356Q5DT - TI
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图片信息
CSD86356Q5DT 图片
CSD86356Q5DT
  • 制造厂家：TI（Texas Instruments，德州仪器）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:8-VSON-CLIP（5x6）
  • 技术参数：MOSFET 2N-CH 25V 40A 8VSON-CLIP
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CSD86356Q5DT 技术参数详情：
  • 型号:CSD86356Q5DT
  • 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
  • 封装:8-VSON-CLIP（5x6）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 25V 40A 8VSON-CLIP
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 个 N 通道（半桥）
  • FET 功能:逻辑电平栅极，5V 驱动
  • 漏源电压（Vdss）:25V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，5V，0.8 毫欧 @ 20A，5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.85V @ 250A，1.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.9nC @ 4.5V，19.3nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1040pF @ 12.5V，2510pF @ 12.5V
  • 功率 - 最大值:12W（Ta）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装:8-VSON-CLIP（5x6）
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