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GCMX008B120B3H1P - SemiQ
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图片信息
GCMX008B120B3H1P 图片
GCMX008B120B3H1P
  • 制造厂家：SemiQ
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:-
  • 技术参数：GEN3 1200V 8M SIC FULL BRIDGE MO
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GCMX008B120B3H1P 技术参数详情：
  • 型号:GCMX008B120B3H1P
  • 品牌:SemiQ (SemiQ)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:GEN3 1200V 8M SIC FULL BRIDGE MO
  • 包装:盒
  • 产品状态:在售
  • 技术:碳化硅（SiC）
  • 配置:4 N 沟道（全桥）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 100A，18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 120mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:493nC @ 18V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:14400pF @ 800V
  • 功率 - 最大值:500W（Tc）
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商器件封装:-
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